中央有一处空腔、经化学沉积生长的氮化物薄膜的彩色显微照片

· 译自西班牙语原文

半导体

Elethron将在英国生产用于电子器件的氮化铝晶圆

伦敦的先进材料公司 Elethron 将在英国建立氮化铝(AlN)衬底产能,先从供制造商试用的2英寸晶圆做起,目标是4英寸,希望为这种稀缺材料建立英国本土的供应来源。

发生了什么

  • 总部位于伦敦的先进材料公司Elethron宣布,将在英国建立氮化铝(AlN)衬底的生产能力。Semiconductor Today于2026年11月3日报道了这一消息。
  • 公司将先从2英寸晶圆做起,用于评估、器件制造试验和工业认证。
  • 公司已开始安装首套晶体生长设备,并将向英国和欧洲的外延代工厂、半导体制造商和实验室供应小批量产品。
  • 与此同时,公司启动了AlN4RF,这是一系列行业联合开发项目中的第一个,面向雷达、卫星通信和先进无线电所需的精密微波与大功率射频。

为什么重要

  • 氮化铝兼具超宽禁带、高热导率、良好的电子迁移率和深紫外透明性,因此在功率电子、先进射频以及极端环境下的光电子领域颇具吸引力。
  • 它还可以作为富铝氮化物结构的同质衬底,这类结构用于新兴器件。
  • “英国的宽禁带材料依赖国外的、面临挑战的供应链,使国内产业暴露在地缘政治和供应风险之下,”创始人兼首席执行官Hamid Soorghali说。

关键数字

2英寸。 这是Elethron将生产的首批氮化铝晶圆的直径,公司还计划推进到4英寸晶圆。

背景

据公司介绍,英国在化合物半导体研究、外延、器件制造和计量方面基础雄厚,却没有氮化铝衬底的本土来源。Elethron表示,将致力于提高晶圆质量和良率、降低生产成本并建立可靠的供应。“我们当前的首要任务,是开发出制造商能够加工、测试并在其器件中认证的氮化铝衬底,”Soorghali说。公司把这些衬底视为一个更广泛的材料组合的基础,面向高温、高功率和耐辐射的电子器件。

Mamífero一直关注电子与光子领域的材料。我们报道过量子点光电二极管在红外波段追平了InGaAs,也报道过AIST通过光子在超导体中留下的磁通量子来数光子。在层状材料方面,扭转方式相同的WS₂层会对偏振光产生响应,史密斯-珀塞尔辐射中隐藏着一种手性,可以揭示硅光栅。

接下来

  • Elethron将向合作伙伴交付小批量的2英寸晶圆,用于外延生长和制造试验。
  • 公司正与产业伙伴准备演示样机,把氮化铝从初步评估推进到器件制造。
  • 下一个技术目标是实现4英寸晶圆的生产。

一句话总结

Elethron从小尺寸晶圆和短批次起步,但瞄准的是一个更深层的问题:一种决定雷达和通信性能的材料,却要依赖国外供应商。制造商的认证结果将表明这一计划是否行得通。

来源

  • Semiconductor Today,“Elethron to build UK AlN substrate manufacturing capability”,2026年11月3日,链接。该报道转载了Elethron的公告。
  • 封面图片:Evavilova,CC BY-SA 4.0,来自 Wikimedia Commons

编辑:Rodrigo Cornejo。我们如何挑选和核实:谁在写这些笔记。

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